【2023 年 6 月21 日英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是奉行潔淨科技的無晶圓廠半導體事業，專注開發節能 GaN 功率裝置，志在提高各式電子產品的環保性能。今天 CGD 榮幸宣布，公司共同創辦人暨技術長 Florin Udrea 教授，近期入選了 IEEE ISPSD (功率半導體器件國際研討會) 名人堂；名人堂旨在表彰致力推動功率半導體技術，及積極延續 ISPSD 成就卓然有成的各界人士。
表彰事由概如下述：「啟迪了一整個世代的工程師在功率半導體領域締造卓越成就，自身對於相關領域以及 ISPSD 本身同樣貢獻良多。」 Udrea 除了在 ISPSD 23 於香港舉行的年度名人堂成員表彰盛會正式獲獎之外，亦曾在 ISPSD 22 於加拿大舉行的典禮上囊括了「最佳論文」以及「最佳海報」殊榮 — 這是 ISPSD 成立 35 年以來，首次由同一人贏取了這兩大獎項。
FLORIN UDREA | CGD 技術長
「這次入選 ISPSD 名人堂，個人實感榮幸備至，非常自豪可以加入這群德高望重的業界菁英與先行者的陣容，這群前輩與先進於相關領域的成就個個顯赫非凡，體現了所謂的開拓精神。『功率』課題的關鍵地位，如今達到了空前的程度，能在這個時間點投入產業，既是我的榮幸，也是我的福氣。只要能善用 GaN 等新型 WBG 材料，人類整體文明定能進一步提高效率、具體減少碳足跡。」
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 執行長
「Florin 獲獎，可謂當之無愧。他具備豐富的經驗與資歷，專長橫跨了多種功率材料 (矽、碳化矽、金剛石與氮化鎵)，CGD 非常幸運，如願邀請到這樣的人才擔任技術長；Florin 曾經召集劍橋大學高壓微電子與傳感器小組 (HVMS，High Voltage Microelectronics and Sensors) 發表的研究成果，至今仍讓我們受益無窮，目前 Florin 也持續擔任小組研究的領導人。CGD 創建事業的支柱之一乃是創新，而 Florin 著實是創新先驅。」
Udrea 教授在各式期刊與國際會議共計發表了 600 多篇論文，並且具備 200 件功率半導體器件和傳感器發明專利。2015 年，他當選英國皇家工程院院士。Udrea 近期在 ISPSD 會議期間榮膺最佳海報獎，科展海報的題目為「具感知與保護功能的智慧 ICeGaN™ 平台，強化了易用程度與」。CGD 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列的穩定性、易用性與效率極大化，堪稱業界第一。ICeGaN 可作為平台技術，具備廣泛的應用範圍，從消費領域的電源供應，到工業領域的轉換器與反向器。Udrea 曾經憑藉劍橋大學發表的垂直 SiC FinFET 器件著作 (與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學產學合作) 而獲頒最佳論文獎。
關於Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD)專注於GaN晶體管和IC的設計、開發和商業化運作，能夠激發能源效率和高密度層面的根本性變革，確保產品適合投入大量生產。我們的使命是透過提供節能易於使用的 GaN 解決方案，將創新帶入日常生活。 CGD 的 ICeGaN™ 技術已被證明適用於大批量生產，並且透過製造和客戶合作夥伴關係迅速擴大規模。CGD是一家由英國劍橋大學衍生而立的無晶圓廠半導體公司，其創始人 CEO Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍然與劍橋大學世界知名的高壓微電子和傳感器集團 (HVMS) 保持著密切聯繫。CGD致力於創新科技的發展，使得其 ICeGaN HEMT 技術受到強大且不斷增長的知識產權組合的保護。 CGD 團隊的技術和商業專長，加上在電力電子市場的廣泛業績，是市場接受其專有技術的基礎。
※ Cambridge GaN Devices(CGD)代理商 - 睿強實業
睿強實業股份有限公司為大中華區半導體元件代理商與解決方案供應商
